"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно деформированном Ge
Воеводин Е.И., Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Птицина Н.Г.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Проведены исследования спектров фототермической ионизации мелких акцепторов (В, Аl) в Ge, предельно сжатом вдоль кристаллографической оси [100]. Из данных измерений с учетом теории построен энергетический спектр примесей. Показано, что энергии большого числа уровней четных и нечетных состояний хорошо соответствуют расчету, выполненному для примесей в анизотропном полупроводнике с параметром анизотропии gamma=m* normal /m*|| >1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.