Изучено влияние протонного облучения и последующих изохронных отжигов на фотолюминесценцию легированных атомами цинка, теллура кристаллов p-GaAs. Показано, что протонное облучение приводит к появлению полосы излучения с максимумом вблизи 1.26 эВ и аномально большому (по сравнению с ожидаемым из радиационных изменений времени жизни избыточных электронов) уменьшению интенсивности краевого излучения с максимумом вблизи 1.5 эВ; отжиг облученных протонами кристаллов приводит, во-первых, к исчезновению излучения с максимумом вблизи 1.26 эВ и, во-вторых, к возгоранию, а затем гашению полос излучения с максимумами вблизи 1.39 и 1.18 эВ, а также к восстановлению первоначальной интенсивности краевой полосы люминесценции. Указанные изменения в спектрах люминесценции p-GaAs свидетельствуют о радиационно-стимулированном изменении структуры центров, формирующих в GaAs краевое излучение, вследствие ассоциации ими (а затем эмиссии) радиационных дефектов; об эффективном образовании при радиационном и радиационно-термических воздействиях пар As_iZn_Ga, V_AsZn_Ga и V_GaТе_As, характеризующихся относительно невысокой термической стабильностью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.