Показано, что в эпитаксиальных p-n-структурах на основе карбида кремния политипа 6H с p-областью, выращенной методом сублимации, существует в диапазоне температур 300/800 K на протяжении 3 порядков по току термоинжекционная компонента тока j=j₀exp(qV/beta kT), характеризующаяся неклассическим значением температурно независимого коэффициента beta=3/2. Экспериментальные данные, полученные из анализа вольтамперных характеристик, соответствуют термоинжекционной теории саа-нойса-шоклиевской рекомбинации в слое объемного заряда p-n-перехода, расширенной на случай рекомбинации через двухэлектронный центр. Согласно оценкам по этой модели, глубины мелкого уровня двухэлектронного центра для различных образцов находятся в диапазоне Delta E=0.15/0.25 эВ, что согласуется с литературными данными глубин мелких уровней в карбиде кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.