"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К теории вертикального ЛСР фоторезистора
Кондратьева О.Г., Неустроев Л.Н., Осипов В.В.
Выставление онлайн: 17 февраля 1989 г.

Рассчитаны основные характеристики вертикального фоторезистора на основе легированной сверхрешетки при низких температурах, когда интенсивность термогенерации носителей мала по сравнению с интенсивностью их фотогенерации тепловым излучением окружающей среды. Расчеты выполнены для трех наиболее часто встречающихся механизмов рекомбинации: излучательной, Оже и Шокли-Рида. Показано, что из-за неоднородности фотогенерации носителей по толщине образца все характеристики фоторезистора резко (экспоненциальным образом) ухудшаются при увеличении его толщины более длины поглощения света.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.