Разработан метод решения кинетического уравнения Больцмана для релаксации энергии горячих электронов в тонкой p-базе гетеротранзистора на плазмонах и оптических фононах (толщина базы меньше длины свободного пробега на фононах). Учитывается лишь однократное рассеяние горячего электрона на оптических фононах, которое приводит к значительному изменению направления скорости электрона. Это приближение справедливо при относительно высокой концентрации дырок в базе, например, для арсенида галлия порядка или более 10¹⁸ см^-3. Полученное решение позволяет рассчитать коэффициент усиления биполярного гетеротранзистора. Численный расчет, проведенный для системы AlGaAs-GaAs, дает результат, совпадающий с известными экспериментальными значениями коэффициента усиления. Наблюдаемые высокие значения коэффициента усиления объясняются совместным действием двух механизмов прохождения базы инжектированными электронами - квазибаллистическим пролетом горячих электронов и диффузионным выносом остывших, так что результирующий коэффициент усиления приближенно равен произведению двух парциальных коэффициентов, относящихся к этим механизмам. Баллистический коэффициент в системе AlGaAs-GaAs составляет величину ~20, тогда как диффузионный - ~10³ (при толщине базы ~0.1 мкм). Проведено сравнение аналитического метода с результатом моделирования по методу Монте-Карло, демонстрирующее их хорошее согласие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.