"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
Крещук А.М., Лаурс Е.П., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Сайдашев И.И., Семашко Е.М.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

Исходя из анализа влияния тока I и температуры T на ширину холловских плато с числами заполнения i=4 и 6 при точности эксперимента 0.3 и 0.03% сделан вывод о применимости понятия "электронная температура" Te>T в режиме квантового эффекта Холла (КЭХ). При этом зависимость Te(I) с точностью эксперимента совпадает с зависимостями, полученными в слабом магнитном поле или в его отсутствие. Высказано предположение, что возможной причиной этого является инжекция "горячих" носителей из приконтактных областей, где холловское напряжение закорочено токовыми контактами и условие КЭХ не выполняется.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.