"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках при фотонакачке
Генкин Г.М., Окомельков А.В., Токман И.Д.
Выставление онлайн: 19 ноября 1988 г.

С помощью численного решения нестационарного кинетического уравнения и уравнений баланса энергии рассмотрен процесс формирования вырожденных неравновесных распределений носителей при интенсивной межзонной фотонакачке в узкощелевых полупроводниках. Учтено влияние принципа Паули на механизмы рассеяния электронов. Получено уравнение, описывающее кинетику фотоэлектронов с учетом эффектов вырождения. Получено выражение для интеграла столкновений для электрон-электронных рассеяний в изотропном случае с учетом принципа Паули. Показано, что в соединениях типа CdxHg1-xTe (x>~=0.17) при интенсивностях фотонакачки I~102 Вт/см2 и низких температурах кристалла в диапазоне длин волн lambda~= 12/40 мкм имеется усиление с максимальным значением коэффициента усиления порядка 103 см-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.