С помощью численного решения нестационарного кинетического уравнения и уравнений баланса энергии рассмотрен процесс формирования вырожденных неравновесных распределений носителей при интенсивной межзонной фотонакачке в узкощелевых полупроводниках. Учтено влияние принципа Паули на механизмы рассеяния электронов. Получено уравнение, описывающее кинетику фотоэлектронов с учетом эффектов вырождения. Получено выражение для интеграла столкновений для электрон-электронных рассеяний в изотропном случае с учетом принципа Паули. Показано, что в соединениях типа Cd_xHg_1-xTe (x>~=0.17) при интенсивностях фотонакачки I~10² Вт/см² и низких температурах кристалла в диапазоне длин волн lambda~= 12/40 мкм имеется усиление с максимальным значением коэффициента усиления порядка 10³ см^-1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.