Разработана теоретическая модель метода определения времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении импульсным электронным пучком в растровом электронном микроскопе (РЭМ) с использованием барьера Шоттки для регистрации сигнала тока, индуцированного электронным зондом. Метод экспериментально реализован в РЭМ с временным разрешением 50 пс. Приведены результаты определения электрофизических параметров при исследовании эпитаксиальных слоев GaAs с различной концентрацией легирующей примеси. Измеренные в эксперименте значения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей позволяют рассчитать коэффициент диффузии и подвижность в локальной области полупроводника.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.