"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
Дмитренко Н.Н., Огненский А.И.
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.

Исследовано влияние температуры изохронного отжига на электрическую проводимость кристаллов кремния, облученных быстрыми нейтронами, тепловыми и быстрыми нейтронами при кадмиевом отношении 20. Показано, что электрическая проводимость кристаллов, облученных быстрыми нейтронами, целиком определяется дефектным центром с акцепторным уровнем Ev+0.45 эВ. Совокупность свойств глубокого дефектного уровня Ev+0.45 эВ (энергия ионизации, стабильность вплоть до Tотж=600oС, превращение в диапазоне 600 < Tотж < 610oС в более мелкие акцепторные уровни, влияние на его концентрацию повторного отжига) указывает на то, что данный уровень относится к неидентифицированным. Акцепторный уровень Ev+0.45 эВ обнаруживается также и в кристаллах, легированных фосфором в процессе ядерной трансмутации изотопа кремния 30Si. Предложена модель аддитивного существования дефектных центров с акцепторными уровнями и трансмутационного фосфора, описывающая зависимость электрической проводимости кристаллов от режима облучения и термообработки (ход кривых изохронного отжига).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.