В p-Si<B> и n-Si<P> с содержанием легирующей примеси ~=10¹⁹ см^-3 методом ИК поглощения в сочетании с электрофизическими измерениями изучены накопление радиационных дефектов, поведение примесей В и Р при облучении нейтронами и последующих отжигах. Установлено, что фосфор в основном остается в замещающем положении как в ходе облучения, так и при последующих отжигах до ~=200^oС, в то время как около 95% примеси В после облучения оказывается в дефектных ассоциациях. Восстановление концентрации узлового В начинается с 350/400^oС. При облучении Si<B> наблюдаются повышенный рост концентрации дивакансий и дополнительное уширение колебательных полос поглощения по сравнению с n-Si и p-Si с уровнем легирования ~10¹⁵ см^-3. Общее же разупорядочение решетки, регистрируемое по однофононному поглощению, а также накопление VO-комплексов не чувствительны к присутствию ~= 10¹⁹ см^-3 примеси В или Р. Различия в поведении В и Р объясняются преобладающим действием реакций междоузельного кластерообразования для В и реакциями аннигиляции компонентов пар Френкеля в случае Р. Обнаружены новые полосы поглощения в области спектра 1/20 мкм, возникающие в Si<B>, Si<P> в ходе облучения и последующих отжигов, высказаны предположения об их природе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.