Исследованы вольтамперные характеристики гетеропереходов p-Pb_0.8Sn_0.2Te/n-PbTe_0.92Se_0.08. Показано, что при прямых и малых обратных смещениях в p-n-переходе гетероструктур указанного типа преобладает ток, обусловленный процессами генерации-рекомбинации носителей в области пространственного заряда (ОПЗ). Эффективное время жизни носителей, рассчитанное в рамках данной модели, составило 0.1-1.0 нс. Обратный ток в интервале смещений 0.03=<sssim|V|=<sssim 0.4 В может быть описан моделью многоступенчатого туннелирования по состояниям в запрещенной зоне. Установлена корреляция между величиной эффективного времени жизни носителей в ОПЗ и объемной плотностью таких состояний. Это позволило предположить участие одних и тех же дефектов как в туннелировании при обратных смещениях, так и в генерационно-рекомбинационных процессах при прямых смещениях. Такими дефектами, вероятно, являются дислокации несоответствия. Несмотря на совпадение параметров кристаллических решеток эпитаксиальных слоев p-Pb_0.8Sn_0.2Te и n-PbTe_0.92Se_0.08 вблизи гетерограницы, дислокации несоответствия в структуре могут генерироваться вследствие различия коэффициентов термического расширения сопрягающихся материалов и градиента параметра кристаллической решетки слоя PbTeSe, обусловленного сегрегацией селена в процессе эпитаксиального наращивания. В работе приведены также данные по измерениям спектральных и вольтфарадных характеристик p-n-переходов на гетероструктурах p-Pb_0.8Sn_0.2Te/n-PbTe_0.92Se_0.08.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.