"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
Кочелап В.А., Кулиш Н.Р., Лисица М.П., Малыш Н.И., Соколов В.Н.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

Исследована временная эволюция коэффициента пропускания и интенсивности излучения на выходе монокристаллов CdSe в течение длительности лазерного импульса. Нелинейное просветление, наблюдаемое в области урбаховского участка спектра поглощения при комнатной температуре, имеет пороговый характер. С увеличением энергии E лазерного импульса, превышающей пороговое значение El, коэффициент пропускания вначале резко возрастает, затем достигает насыщения. Предложена феноменологическая модель, описывающая наблюдаемые закономерности, для которой коэффициент поглощения характеризуется резкой зависимостью от концентрации фотовозбуждений. Проведен количественный анализ последовательности динамических зависимостей пропускания от уровня накачки. На основе экспериментальных данных рассчитаны удельная пороговая энергия El и удельная энергия Eh необходимая для просветления образцов толщиной 100 мкм. Они соответственно равны 2.2· 10-11 и 1.9·10-10 Дж/мкм2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.