"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературные особенности явлений переноса в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
Матвеев Г.А., Цидильковский И.М., Лончаков А.Т., Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1988 г.

На некомпенсированных образцах Ge : Sb с концентрациями электронов от 1.1·1017 до 1.5·1018 см-3 в интервале температур 0.07-2.5 K измерены проводимость sigma(T) и коэффициент Холла R(T) в слабом магнитном поле H=1 кЭ. В интервале температур 1.8-77 K измерено магнитосопротивление в сильных магнитных полях до 340 кЭ. Результаты измерений sigma(T) и R(T) в области сверхнизких температур сопоставляются с теорией, учитывающей квантовые поправки к проводимости. Установленное значительное расхождение между теорией и экспериментом, по мнению авторов, связано с тем, что электронные состояния в области металлической проводимости вблизи перехода металл--диэлектрик квазилокализованы. Поведение магнитосопротивления в сильных магнитных полях качественно согласуется с этим предположением. Получено эмпирическое соотношение sigma(T), позволяющее описать проводимость не только Ge : Sb, но и других полупроводников.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.