Рассмотрены неомические эффекты в ВЧ прыжковой проводимости sigma(omega) в полупроводниках в случае, когда доминирует релаксационный механизм поглощения. Проанализированы зависимости неомического вклада в Re sigma(omega) от частоты omega, температуры T и амплитуды E₀ переменного электрического поля. Показано, что в случае достаточно низких частот указанный неомический вклад пропорционален | E₀|. Причина такой неаналитической зависимости состоит в том, что основную роль в этой ситуации играют пары доноров с расстоянием между уровнями, гораздо меньшим T, для которых отклик на поле существенно нелинеен. Рассмотрена зависимость неомической части Re sigma(omega) от магнитного поля.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.