Исследована примесная фотопроводимость (ФП) образцов фосфида галлия, диффузионно легированных никелем. В спектрах ФП присутствует резонансная полоса, имеющая гауссову форму, с максимумом вблизи 0.74 эВ при 300 K. Ее положение, интенсивность и полуширина зависят от температуры. Установлена связь этой полосы в спектрах ФП с бесфононной линией homega_БФЛ=0.664 эВ в оптическом поглощении, обусловленной переходами ²T₂->²E внутри центра Ni^2-(3d⁹), и показано, что резонансная полоса ФП в n-GaP<Ni> связана с фототермическим процессом: оптический переход ²T₂->²E внутри центра Ni^2-(3d⁹) сопровождается последующим термическим выбросом электрона с центра, находящегося в возбужденном состоянии ²E, в зону проводимости. Определены положения примесного уровня центра Ni^2-(3d⁹) в запрещенной зоне GaP, а также его возбужденного состояния ²E.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.