"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости n-GaP<Ni>
Захаров Ю.В., Материкин Д.И., Прибылов Н.Н., Бордюжа Л.П., Рембеза С.И.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Исследована примесная фотопроводимость (ФП) образцов фосфида галлия, диффузионно легированных никелем. В спектрах ФП присутствует резонансная полоса, имеющая гауссову форму, с максимумом вблизи 0.74 эВ при 300 K. Ее положение, интенсивность и полуширина зависят от температуры. Установлена связь этой полосы в спектрах ФП с бесфононной линией homegaБФЛ=0.664 эВ в оптическом поглощении, обусловленной переходами 2T2->2E внутри центра Ni2-(3d9), и показано, что резонансная полоса ФП в n-GaP<Ni> связана с фототермическим процессом: оптический переход 2T2->2E внутри центра Ni2-(3d9) сопровождается последующим термическим выбросом электрона с центра, находящегося в возбужденном состоянии 2E, в зону проводимости. Определены положения примесного уровня центра Ni2-(3d9) в запрещенной зоне GaP, а также его возбужденного состояния 2E.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.