Исследована низкотемпературная фотолюминесценция структур с квантовыми ямами GaAs-AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Показано, что экситоны в таких структурах локализуются на островковых флуктуациях ширины квантовой ямы в зависимости от соотношения размера островка и диаметра экситона. Анализ особенностей спектров излучения в магнитном поле при изменении температуры и плотности возбуждения позволил впервые определить характерные размеры таких флуктуаций и характеризовать микроструктуру гетерограниц в квантовой яме на монослойном уровне.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.