"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перетекание электронов на примесный уровень в Hg1-xMnxSe под давлением
Исмаилов Ж.Т., Кульбачинский В.А., Чудинов С.М., Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Исследованы осцилляции Шубникова--де-Гааза у полумагнитных полупроводников (ПМПП) Hg1-xMnxSe при всестороннем сжатии до 16 кбар в магнитных полях H до 65 кЭ при температурах T=1.6/20 K. Измерения проведены на образцах ПМПП с инверсным (x= 0.032) и прямым (x= 0.07) электронными спектрами при P=0. Установлено, что концентрация электронов nGamma в зоне проводимости у Hg1-xMnxSe уменьшается под действием давления. Для объяснения этого явления сделано предположение о перетекании электронов в примесную зону, отщепленную от верхних экстремумов в зоне проводимости. Найдены барические зависимости матричных элементов обменного взаимодействия в Hg1-xMnxSe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.