"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
Акимов Б.А., Албул А.В., Никорич А.В., Широкова Н.А., Рябова Л.И.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Исследованы гальваномагнитные эффекты и неравновесные состояния, индуцированные быстрым охлаждением и ИК подсветкой с помощью теплового источника в сплавах Pb0.78Sn0.22Te с содержанием индия CIn от ~0.01 до ~0.2 ат% в магнитных полях до 60 кЭ при температурах 4.2 <T<300 K. Установлена зависимость положения уровня Ферми от CIn, соответствующая эффекту "мягкой стабилизации" химического потенциала при 4.2 K и переходу металл--диэлектрик при увеличении концентрации примеси. Показано, что кинетика спада концентрации неравновесных электронов Delta n=n(t)-n0 и проводимости Deltasigma(t)-sigma0 описывается функциями вида Delta n~ t-alpha, Delta sigma ~ t-beta, причем коэффициенты alpha, beta монотонно увеличиваются с ростом CIn от ~ 0.1 до ~0.25. Обнаружен новый тип осцилляции --- осцилляционная зависимость мгновенного времени релаксации tauмгн=Delta n/|dDelta n/d t| концентрации неравновесных электронов от магнитного поля. Сложный вид таких осцилляции связывается с осциллирующим характером плотности состояний и спиновыми эффектами при туннелировании пар электронов сквозь барьер W, разделяющий зонные и примесные состояния в Pb1-xSnxTe(In).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.