"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинация в n-Si при термообработке и облучении
Неймаш В.Б., Соснин М.Г., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л., Ясковец И.И.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

Методами емкостной спектроскопии глубоких уровней, эффекта Холла и нестационарной фотопроводимости исследовано влияние термообработки (ТО) в области температур 300/800oС на поведение времени жизни неосновных носителей tau и скорости накопления A-центров в промышленном n-Si. Обнаружены увеличение tau в результате ТО и корреляция его увеличения с величиной исходного tau. Обнаружена немонотонная зависимость константы деградации при gamma-облучении от температуры предварительной ТО при неизменной скорости накопления A-центров. Полученные результаты объясняются распадом твердого раствора глубоких примесей и изменением рекомбинационной активности A-центров в результате накопления электрически активных термодефектов. Получено удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.