"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электростатические свойства SiC-6H-структур с резким p-n-переходом
Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В., Пятко С.Н., Растегаев В.П., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Установлено, что электростатические свойства эпитаксиальных SiC-6H p(А1)-n(N)-структур с резким p-n-переходом в широком интервале температур (300/800 K) соответствуют теории Шокли, и на основании этого определены их электростатические параметры. Показано, что уменьшение диффузионной разности потенциалов на p-n-переходе с ростом температуры определяется главным образом температурным ходом химических потенциалов электронов в n-области и дырок в p-области, а не температурной зависимостью ширины запретной зоны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.