"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Статические характеристики МДП транзисторов на основе CdxHg1-xTe
Пономаренко В.П., Шиманский И.В., Стафеев В.И.
Выставление онлайн: 20 декабря 1987 г.

Описаны основные свойства МДП транзисторов с индуцированным каналом на основе твердых растворов p-CdxHg1-xTe (с x~=0.3), работающих в режиме обогащения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.