Методом DLTS изучено влияние электрического поля областей пространственного заряда (ОПЗ) на накопление радиационных комплексов в базе диодов Шоттки Au-n-Si и Ti-p-Si при облучении электронами. Обнаружено, что действие электрического поля приводит к уменьшению и увеличению концентрации вводимых в ОПЗ вакансионных дефектов для диодов Au-n-Si и Ti-p-Si соответственно. Измеренные профили концентрации дефектов удовлетворительно описываются неоднородным распределением вакансий, формирующимся в результате их диффузии и дрейфа в электрическом поле. При этом существенными факторами, определяющими вид профилей, являются следующие: 1) поверхность является стоком для подвижных вакансий; 2) генерация вакансий вблизи поверхности повышена. Приведенный расчет позволил оценить величины длин диффузии вакансий в кремнии при комнатной температуре, которые составили ~0.05-0.3 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.