"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов
Саченко А.В.1, Костылев В.П.1, Кулиш Н.Р.1, Соколовский И.О.1, Шкребтий А.И.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2University of Ontario, Institute of Technology, Faculty of Science, L1H7K4 Ontario, Canada
Поступила в редакцию: 28 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

При расчете эффективности eta многопереходных солнечных элементов (МПСЭ) учтены излучательная рекомбинация, рекомбинация Шокли - Рида, поверхностная рекомбинация на фронтальной и тыльной поверхностях, рекомбинация в областях пространственного заряда, а также рекомбинация на границах гетеропереходов. Расчет выполнен путем самосогласованного решения уравнений для фототока и фотонапряжения, а также для теплового баланса. Учтено охлаждение МПСЭ по мере увеличения числа ячеек n и улучшения условий теплоотвода. Рассмотрен эффект, приводящий к уменьшению фототока по мере увеличения n, связанный с сужением интервалов энергий фотонов, падающих на ячейку МПСЭ. Установлено, что существенное увеличение эффективности МПСЭ может быть достигнуто за счет улучшения условий теплоотвода, в частности, при использовании радиаторов и за счет приближения коэффициента серости МПСЭ к единице. Проведено сравнение полученных в работе результатов с результатами, приведенными в работах других авторов. Показано, что расчетные зависимости eta(n) согласуются со значениями, полученными экспериментально.
  1. http://www.nrel.gov/
  2. P.T. Landsberg, V. Badescu. Prog. Quant. Electron., 22, Issue 4, 211 (1998)
  3. P.T. Landsberg, V. Badescu. Prog. Quant. Electron., 22, Issue 4, 231 (1998)
  4. M.A. Green. Third generation photovoltaic. Springer
  5. D. Ding, S.R. Johnson, S.-Q. Yu, S.-N. Wu, Y.-H. Zhang. J. Appl. Phys., 110, 123 104 (2011)
  6. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38 (8), 937 (2004)
  7. M.F. Dias-Aquado, J. Grinbaum, W.T. Fowler, E.G. Lightsey. Proc. SPIE, 6221, 622 109 (2006)
  8. S.M. Sze, K.Ng. Kwok. Physics of Semiconductor Devices. 3rd edn. (John Wiley and Sons, 2007)
  9. В.М. Андреев, В.В. Евстропов, В.С. Калиновский, В.М. Лантратов, В.П. Хвостиков. ФТП, 43 (5), 671 (2009)
  10. A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3 (3), 322 (2000)
  11. O.Yu. Borkovskaya, N.L. Dmitruk, V.G. Lyapin, A.V. Sachenko. Thin Sol. Films, 451--452, 402 (2004)
  12. http://matprop.ru
  13. М.М. Колтун. Селективные оптические поверхности преобразователей солнечной энергии (М., Наука, 1979)
  14. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 20, 12 (2012)
  15. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, D.D. Krut, J.H. Ermer, R.A. Sherif, N.H. Karam. Adv. Opto electron., 2007, 29 523 (2007)
  16. B. Mitchell, G. Peharz, G. Siefer, M. Peters, T. Gandy, J.C. Goldschmidt, J. Benick, S.W. Glunz, A.W. Bett, F. Dimroth. Progr. Photovolt.: Appl., 19, 61 (2011)
  17. Р.И. Джиоев, К.В. Кавокин. ФТТ, 33 (10), 2228 (1991)
  18. A. Barnett, D. Kirkpatrick, C. Honsberg et al. 22nd Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. Milan, Italy, (2007) p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.