"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическое пропускание тонких пластин GaAs при лазерной накачке в область экситонных резонансов и континуума состояний: экситон-экситонное взаимодействие
Зайцев Д.А.1, Сейсян Р.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2014 г.

Измерялись спектры пропускания (при температуре T=1.7 K) тонких пластин "чистого" объемного GaAs, выращенного методами молекулярно-пучковой и газофазной эпитаксии, при оптической накачке в полосу основного состояния серии экситона. Обнаружено возрастание амплитуды и ширины линии при накачке без заметных изменений спектрального положения максимума линии, подобное наблюдавшемуся при накачке в континуум, но с несколько меньшим темпом возрастания. Оценка концентрации экситонов, рождаемых в результате накачки, позволяет определить константу экситон-экситонного взаимодействия и сравнить с известными данными. Применение метода интегрального поглощения позволяет также уточнить константы взаимодействия экситонного поляритона со свободными носителями заряда и с примесью. Измерено дифференциальное фотопоглощение образцов на частоте модуляции подсветки. Полученные спектры модуляционного поглощения показывают связь индуцированного поглощения с образованием дифференциальных спектров.
  1. Р. Сейсян. Юбилейная конф. Науч.-техн. общества им. А.С. Попова (М., 1990)
  2. D.S. Chemla, D.A.B. Miller, P.W. Smith. In: Semiconductors and Semimetals, vol. 24 (1988), ch. 5, p. 279
  3. А.В. Кавокин. http://wmw-magazine.ru, 2002, \#2(6)
  4. L.V. Butov, A.C. Gossard, D.S. Chemla. Nature, 418, 751, (2002)
  5. R. Butte, G. Christmann, E. Feltin, J.F. Carlin, M. Mosca, M. Ilegems, N. Grandjean. Phys. Rev. B, 73, R 13 371 (2006)
  6. D. Bajoni. J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 313 001 (2012)
  7. Н.А. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, (4[10]), 1534 (1980)
  8. V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Technol., 8, 1235 (1993)
  9. R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov. In: Int. Conf. Excitonic Processes in Condensed Matter (Darwin, 1994)
  10. Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 36 (2), 373 (1994)
  11. В.А. Кособукин, М.С. Маркосов, Р.П. Сейсян. ФТП, 40 (11), 1321 (2006)
  12. G.N. Aliev, O.S. Coschug-Toates, V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Proc. SPIE, 1985, 794 (1993)
  13. С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (19), 9 (2012)
  14. Р.П. Сейсян, Г.М. Савченко, Н.С. Аверкиев. ФТП, 46 (7), 896 (2012)
  15. С.А. Марков, В.А. Кособукин, Р.П. Сейсян. ФТП, 38 (2), 230 (2004)
  16. С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (19), 9 (2012)
  17. Н.В. Лукьянова, Г.Н. Алиев, Р.П. Сейсян. ФТТ, 40, 869 (1998)
  18. R.P. Seisyan. Semicond. Sci. Technol., 27, 053 001 (2012)
  19. В.В. Золотарeв, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов. ФТП, 47 (1), 124 (2013)
  20. Н.Р. Григорьева, А.Ю. Егоров, Д.А. Зайцев, Е.В. Никитина, Р.П. Сейсян. ФТП, 48, в печати (2014)
  21. C.O. Когновицкий, В.В. Травников, Я. Аавиксоо, И. Рейманд. ФТТ, 39 (6), 1011 (1997)
  22. A. Schaefer, D.G. Steel. Phys. Rev. Lett., 79 (24). 4870 (1997)
  23. L. Schulties, J. Kuhl, A. Honold, C.W. Tu. Phys. Rev. Lett., 57 (13), 1635 (1986)
  24. Я. Аавиксоо, И.Я. Рейманд, В.В. Россин, В.В. Травников. ФТТ, 33 (8), 2409 (1991)
  25. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  26. A.B. Варфоломеев, P.П. Сейсян, Ю.Л. Шелехин. ФТП, 10, 1063 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.