"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нелинейный оптический эффект при облучении GaN малыми кластерными ионами
Карасев П.А.1, Карабешкин К.В.1, Титов А.И.1, Шилов В.Б.2, Ермолаева Г.М.2, Маслов В.Г.3, Орлова А.О.3
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2 НПК "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

Рассмотрено влияние облучения ускоренными атомарными P и молекулярными PF4 ионами с энергией 0.6 кэВ/аем на кристаллическую структуру и оптические свойства монокристаллических пленок GaN. Показано, что облучение малыми кластерами приводит: 1) к более быстрому накоплению структурных дефектов; 2) более сильному подавлению фиолетовой полосы и 3) к меньшим временам затухания ее интенсивности по сравнению с облучением атомарными ионами.
  1. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
  2. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, S.J. Pearton. Mater. Sci. Eng., R 33, 51 (2001)
  3. И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  4. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, G. Li, A.I. Titov. Phys. Rev. B, 64, 035 202 (2001)
  5. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, J. Zou, G. Li, C. Jagadish, A.I. Titov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 190, 782 (2002)
  6. W. Jiang, Y. Zhang, W.J. Weber, J. Lian, R.C. Ewing. Appl. Phys. Lett., 89, 021 903 (2006)
  7. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, V.S.J. Craig, G. Li. Appl. Phys. Lett., 77, 1455 (2000)
  8. E. Wendler, A. Kamarou, E. Alves, K. Gaertner, W. Wesch. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B, 206, 1028 (2003)
  9. S.O. Kucheyev, A.Yu. Azarov, A.I. Titov, P.A. Karaseov, T.M. Kuchumova. J. Phys D: Appl. Phys., 42, 085 309 (2009)
  10. A.I. Titov, P.A. Karaseov, A.Yu. Kataev, A.Yu. Azarov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 277, 80, (2012)
  11. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, G. Li. Appl. Phys. Lett., 77, 3577 (2000)
  12. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, G. Li. Appl. Phys. Lett., 78, 1373 (2001)
  13. Y. Gao, C. Lan, J. Xue, S. Yan, Y. Wang, F. Xu, B. Shen, Y. Zhang. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 268, 3207 (2010)
  14. A.I. Titov, P.A. Karaseov, V.S. Belyakov, K.V. Karabeshkin, A.V. Arkhipov, S.O. Kucheyev, A.Yu. Azarov. Vacuum, 86, 1638 (2012)
  15. M. Reshchikov, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 97, 061 301, (2005)
  16. A. Pinos, S. Marcinkeviv cius, M. Usman, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 95, 112 108 (2009)
  17. D.A. Thompson. Rad. Eff., 56, 105, (1981)
  18. J.A. Davies. In: J.S. Williams, J.M. Poate (eds). Ion Implantation and Beam Processing (Academic Press, Sydney, 1984)
  19. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, A.I. Titov, G. Li, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 78, 2694 (2001)
  20. К.В. Карабешкин, П.А. Карасев, А.И. Титов. ФТП, 47, 206 (2013)
  21. В.В. Лундин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, А.В. Фомин, Д.С. Сизов. ФТП, 38, 705 (2004)
  22. J.F. Ziegler, J.P. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Solids (Oxford, Pergamon, 1985) vol. 1, p. 109, www.srim.org
  23. K. Schmid. Rad. Eff., 17, 201 (1973)
  24. M.W. Ullah, A. Kuronen, K. Nordlund, F. Djurabekova, P. Karaseov, A.I. Titov. J. Appl. Phys., 112, 043 517 (2012)
  25. M.W. Ullah, A. Kuronen, K. Nordlund, F. Djurabekova, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, A.I. Titov, отослано в печать (2013)
  26. F.J. Xu, B. Shen, L. Lu, Z.L. Miao, J. Song, Z.J. Yang, G.Y. Zhang, X.P. Hao, B.Y. Wang, X.Q. Shen, H. Okumura. J. Appl. Phys., 107, 023 528 (2010)
  27. J. Neugebauer, C.G. Van de Walle. Appl. Phys. Lett., 69, 503 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.