Расчет подвижности электронов для Delta1-модели зоны проводимости монокристаллов германия
Лунев С.В.1, Назарчук П.Ф.1, Бурбан О.В.1
1Луцкий национальный технический университет, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 31 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.
На основе анизотропного рассеяния при 77 K получены концентрационные зависимости подвижности носителей заряда для Delta1-модели зоны проводимости кристаллов n-Ge. Показано, что инверсия типа абсолютного минимума L1-Delta1, обусловленная одноосным давлением кристаллов n-Ge вдоль кристаллографического направления [100], существенно уменьшает величину подвижности носителей заряда. Это объясняется уменьшением времени релаксации, поскольку эффективные массы для электронов разных минимумов мало различаются. Для других двух случаев инверсии абсолютного минимума L1-Delta1, при гидростатическом и одноосном давлении вдоль кристаллографического направления [110], уменьшение подвижности электронов обусловлено в основном увеличением эффективной массы. Показано также, что на эффективность рассеяния носителей заряда в анизотропных полупроводниках в данном случае существенно влияет степень анизотропии эффективных масс.
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
- С.В. Лунев, П.Ф. Назарчук, О.В. Бурбан. Матер. 6-й Междунар. науч. конф. РНАОПМ (Украина, Луцк, 2012) с. 42
- G.H. Li, A.R. Coni, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 49, 8017 (1994)
- П.И. Баранский, В.Н. Ермаков, В.В. Коломоец, П.Ф. Назарчук. Тез. докл. XI Междунар. конф. (МАРИВД) (Украина, Киев, 1987) с. 127
- F. Murphy-Armando, S. Fahy. J. Appl. Phys., 109 (11), 113 703 (2011)
- B. Lemke, R. Baskaran, O. Paul. Sensors Acruators A: Physical, 176, 10 (2012)
- K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65 (1), 27 (2002)
- Д.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 43, 332 (2009)
- В.О. Юхимчук, М.Я. Валах, В.П. Кладько, М.В. Слободян, О. Й. Гудименко, З.Ф. Красильник, О.В. Новиков. УФЖ, 56 (3), 254 (2011)
- C.N. Ahmad, A.R. Adams, G.D. Pitt. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12 (10), 1379 (1979)
- П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)
- С.В. Лунев, П.Ф. Назарчук, Л.И. Панасюк. Тез. докл. V Украинской науч. конф. по физике полупроводников (УНКФН-5) (Украина, Ужгород, 2011) с. 249
- П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Физические свойства кристаллов кремния и германия в полях эффективного внешнего воздействия (Луцк, Надстир'я, 2000) с. 280
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук