"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет подвижности электронов для Delta1-модели зоны проводимости монокристаллов германия
Лунев С.В.1, Назарчук П.Ф.1, Бурбан О.В.1
1Луцкий национальный технический университет, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 31 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2014 г.

На основе анизотропного рассеяния при 77 K получены концентрационные зависимости подвижности носителей заряда для Delta1-модели зоны проводимости кристаллов n-Ge. Показано, что инверсия типа абсолютного минимума L1-Delta1, обусловленная одноосным давлением кристаллов n-Ge вдоль кристаллографического направления [100], существенно уменьшает величину подвижности носителей заряда. Это объясняется уменьшением времени релаксации, поскольку эффективные массы для электронов разных минимумов мало различаются. Для других двух случаев инверсии абсолютного минимума L1-Delta1, при гидростатическом и одноосном давлении вдоль кристаллографического направления [110], уменьшение подвижности электронов обусловлено в основном увеличением эффективной массы. Показано также, что на эффективность рассеяния носителей заряда в анизотропных полупроводниках в данном случае существенно влияет степень анизотропии эффективных масс.
  1. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
  2. С.В. Лунев, П.Ф. Назарчук, О.В. Бурбан. Матер. 6-й Междунар. науч. конф. РНАОПМ (Украина, Луцк, 2012) с. 42
  3. G.H. Li, A.R. Coni, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 49, 8017 (1994)
  4. П.И. Баранский, В.Н. Ермаков, В.В. Коломоец, П.Ф. Назарчук. Тез. докл. XI Междунар. конф. (МАРИВД) (Украина, Киев, 1987) с. 127
  5. F. Murphy-Armando, S. Fahy. J. Appl. Phys., 109 (11), 113 703 (2011)
  6. B. Lemke, R. Baskaran, O. Paul. Sensors Acruators A: Physical, 176, 10 (2012)
  7. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65 (1), 27 (2002)
  8. Д.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 43, 332 (2009)
  9. В.О. Юхимчук, М.Я. Валах, В.П. Кладько, М.В. Слободян, О. Й. Гудименко, З.Ф. Красильник, О.В. Новиков. УФЖ, 56 (3), 254 (2011)
  10. C.N. Ahmad, A.R. Adams, G.D. Pitt. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 12 (10), 1379 (1979)
  11. П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)
  12. С.В. Лунев, П.Ф. Назарчук, Л.И. Панасюк. Тез. докл. V Украинской науч. конф. по физике полупроводников (УНКФН-5) (Украина, Ужгород, 2011) с. 249
  13. П.И. Баранский, А.В. Федосов, Г.П. Гайдар. Физические свойства кристаллов кремния и германия в полях эффективного внешнего воздействия (Луцк, Надстир'я, 2000) с. 280

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.