На основе анизотропного рассеяния при 77 K получены концентрационные зависимости подвижности носителей заряда для Delta₁-модели зоны проводимости кристаллов n-Ge. Показано, что инверсия типа абсолютного минимума L₁-Delta₁, обусловленная одноосным давлением кристаллов n-Ge вдоль кристаллографического направления [100], существенно уменьшает величину подвижности носителей заряда. Это объясняется уменьшением времени релаксации, поскольку эффективные массы для электронов разных минимумов мало различаются. Для других двух случаев инверсии абсолютного минимума L₁-Delta₁, при гидростатическом и одноосном давлении вдоль кристаллографического направления [110], уменьшение подвижности электронов обусловлено в основном увеличением эффективной массы. Показано также, что на эффективность рассеяния носителей заряда в анизотропных полупроводниках в данном случае существенно влияет степень анизотропии эффективных масс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.