"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности темновой проводимости селенида цинка
Дегода В.Я.1, Подуст Г.П.1
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 21 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2014 г.

Экспериментально полученные вольт-амперные зависимости темновой проводимости монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Среди возможных причин такого поведения вольт-амперных характеристик были рассмотрены контактно-инжекционные явления, эффект Пула--Френкеля. В результате исследования было установлено: 1) контакт монокристаллического n-ZnSe с металлическим In является омическим; 2) в области слабых полей вольт-амперная характеристика подчиняется закону Ома; 3) в области сильных полей темновая проводимость исследованных образцов определяется эффектом Пула--Френкеля. Также было выполнено дополнение теории Пула--Френкеля для разных потенциалов взаимодействия локального центра с носителем заряда.
  1. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1986)
  2. В.Я. Дегода, А.А. Софиенко. ФТП, 44 (5), 594 (2010)
  3. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
  4. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков. Селенид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1992)
  5. Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурачас, Л.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе (Киев, Наук. думка, 1998)
  6. М.С. Бродин, В.Я. Дегода, Б.В. Кожушко, А.О. Софiнко. Сенсор. електрон. и микросистем. технологии, 2 (8), 25 (2011)
  7. A.O. Sofiienko, V.Y. Degoda. Radiation Measurements, 47, 27 (2012)
  8. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  9. B.C.Фоменко. Эмиссионные свойства материалов (К., Наук. думка, 1981)
  10. G.B. Strinfellow, R.H. Bube. Phys. Rev., 171 (3), 903 (1968)
  11. E. Tournie, C. Morhain. Appl. Phys. Lett., 68 (10), 1356 (1996)
  12. S. Darwishy, A.S. Riady, H.S. Soliman. Semicond. Sci. Technol., 11 (1), 96 (1996)
  13. B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 47 (15), 9641 (1993)
  14. В.И. Стриха. Контактные явления в полупроводниках (Киев, Выща школа, 1982)
  15. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N.Y.--London, Academic Press, 1970)]
  16. Б.Г. Тагиев, О.Б. Тагиев, Г.А. Касимова. ФТП, 25 (11), 1877 (1991)
  17. А.М. Козлов, В.В. Рыльков. ФТП, 31 (7), 777 (1997)
  18. А.Н. Зюганов, С.В. Свечников. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
  19. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.