"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se95As5 с примесью EuF3
Исаев А.И.1, Мехтиева С.И.1, Гарибова С.Н.1, Зейналов В.З.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 4 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.

Исследованиями температурной зависимости темновой проводимости и стационарной фотопроводимости, люксамперной характеристики, а также спектрального распределения фототока предложен энергетический спектр локальных состояний, связанных с заряженными дефектами D- и D+, играющими существенную роль в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se95As5, содержащей примеси ЕuF3. Показано, что примеси ЕuF3 немонотонно изменяют концентрации указанных состояний: малые концентрации из-за химической активности ионов редкоземельного элемента и фтора, образуют химическое соединение с селеном и мышьяком, в результате чего уменьшается концентрация исходных собственных дефектов, а большие концентрации, согласно модели заряженных дефектов, в результате присутствия ионов Еu3+ приводят к уменьшению концентрации D+-центров и к росту D--центров. Оценены некоторые параметры модели заряженных дефектов, в частности величина эффективной корреляционной энергии Ueff (0.6 эВ) и энергия поляронной релаксации W+ (0.4 эВ), W- (0.45 эВ).
  1. К.Д. Цэндин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996)
  2. Tanaka Keiji. Book of Abstracts 7^th Int. Conf. On Solid State Chemistry (Czech Rep., Pardubice, 2006)
  3. A. Zakery, S.R. Elliott. J. Non-Cryst. Sol., 330, 1 (2003)
  4. A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov, V.Z. Zeynalov. J. Optoelectron. and Adv. Materials-RC, 1 ISS, 8, 368 (2007)
  5. A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov. Sol. St. Commun., 149 (1-2), 45 (2009)
  6. А.И. Исаев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, С.И. Мехтиева, И.И. Ятлинко. А.с. N 1512015 (М., 1989)
  7. Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27, 959 (1993)
  8. L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
  9. A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva, A.K. Rzayev. Turkish J. Phys., 22, 263 (1998)
  10. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, Р.И. Алекперов, В.З. Зейналов. ФТП, 8, 1026 (2011)
  11. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова. ФТП, 42, 1599 (2011)
  12. C. Main, A.E. Owen. Electronic and Structural Properties of Amorphous Semiconductors, ed. by P.G. Le Comber, J. Mort. London, Academic Press, 1973, p. 527
  13. J.G. Simmons, G.W. Taylor. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 7, 3051 (1974)
  14. А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.З. Джалилов, Р.И. Алекперов, С.Н. Гарибова, С.У. Мамедова. Transactions (Series of Physical-Mathematical and Technical Sciences Physics and Astronomy), XXVIII, 5, 63 (2008)
  15. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 34, 953 (1975)
  16. R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
  17. M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.