Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2014, выпуск 1 » Статья стр. 120
<<<>>>
Лазерные излучатели (lambda=808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Мармалюк А.А.1, Андреев А.Ю.1, Коняев В.П.1, Ладугин М.А.1, Лебедева Е.И.1, Мешков А.С.1, Морозюк А.Н.1, Сапожников С.М.1, Данилов А.И.1, Симаков В.А.1, Телегин К.Ю.1, Яроцкая И.В.1
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
PDF версия
Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазерные гетероструктуры AlGaAs/GaAs с различной геометрией активной области: с расширенным асимметричным и узким симметричным волноводами, различной глубиной квантовых ям. Из полученных образцов были изготовлены одиночные лазерные элементы, линейки и решетки лазерных диодов, и исследованы их выходные характеристики. Показано, что геометрия структуры с узким волноводом является более предпочтительной для линеек лазерных диодов (lambda=808 нм). Повышение барьера для носителей также благоприятно сказывается на выходных параметрах линеек в случае гетероструктур с узким симметричным волноводом, наклон ВтАХ для этих структур вырос с 0.9 Вт/А до 1.05 Вт/А. Решетка лазерных диодов 5x5 мм, собранная на основе лучшей гетероструктуры, продемонстрировала в квазинепрерывном режиме работы выходную мощность свыше 1500 Вт при токе накачки 150 А.
  1. Г.М. Зверев, Ю.Д. Голяев, Е.А. Шалаев, А.А. Шокин. Лазеры на алюмоиттриевом гранате с неодимом (М., Радио и связь, 1985)
  2. В.И. Дудкин, Л.Н. Пахомов. Квантовая электроника. Приборы и их применение (М., Техносфера, 2006)
  3. L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D.Z. Garbuzov, L. Demarko, I.C. Connoly, M. Jansen, F. Fang, R.F. Nabiev. Appl. Phys. Lett., 69, 1532 (1996)
  4. В.И. Швейкин, В.А. Геловани. Квант. электрон., 32, 683 (2002)
  5. П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1144 (2002)
  6. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  7. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 1230 (2012)
  8. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, К.В. Бахвалов, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 1234 (2012)
  9. P. Ressel, G. Erbert, U. Zeimer, K. Hausler, G. Beister, B. Sumpf, A. Klehr, G. Trankle. IEEE Photon. Techn. Lett., 17, 962 (2005)
  10. R. Lambert, T. Ayling, A. Hendry, J. Carson, D. Barrow, S. Mc Hendry, C. Scott, A. Mc Kee, W. Meredith. J. Lightwave Technol., 24, 956 (2006)
  11. С.L. Walker, A.C. Bryce, J.H. Marsh. IEEE Photon. Techn. Lett., 14, 1394 (2002)
  12. B.C. Qiu, O. Kowalski, S.D. Mc Dougall, X.F. Liu, J.H. Marsh. Proc. SPIE, 6909, 69090S1 (2008)
  13. С.Ю. Карпов, П.С. Копьёв, А.Л. Тер-Мартиросян, В.П. Чалый, А.П. Шкурко. ФТП, 25, 1361 (1991)
  14. В.В. Безотосный, Х.Х. Кумыков, Н.В. Маркова. Квант. электрон., 24, 495 (1997)
  15. Г.Т. Микаелян. Квант. электрон., 36, 222 (2006)
  16. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 628 (2006)
  17. А.Ю. Андреев, С.А. Зорина, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, А.В. Мурашова, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, К.Ю. Телегин, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП, 43, 543 (2009)
  18. В.В. Безотосный, Ю.П. Коваль, Н.В. Маркова, Ю.М. Попов, М.Н. Грудень, В.И. Швейкин. Квант. электрон., 22, 101 (1995)
  19. А.Ю. Абазадзе, В.В. Безотосный, Т.Г. Гурьева, Е.И. Давыдова, И.Д. Залевский, Г.М. Зверев, А.В. Лобинцов, А.А. Мармалюк, С.М. Сапожников, В.А. Симаков, М.Б. Успенский, В.А. Шишкин. Квант. электрон., 31, 659 (2001)
  20. В.В. Безотосный, В.Ю. Бондарев, О.Н. Крохин, Г.Т. Микаелян, В.А. Олещенко, В.Ф. Певцов, Ю.М. Попов, Е.А. Чешев. Квант. электрон., 39, 241 (2009)
  21. N. Chand, T.D. Harris, S.N.G. Chu, E.E. Becker, A.M. Sergent, M. Schnoes, D.V. Lang. J. Cryst. Growth., 111, 20 (1993)
  22. N. Chand, S.N.G. Chu, N.K. Dutta, J. Lopata, M. Geva, A.V. Syrbu, A.Z. Mereutza, V.P. Yakovlev. IEEE J. Quant. Electron., 30, 424 (1994)
  23. Y. Mihashi, M. Miyashita, N. Kaneno, M. Tsugami, N. Fujii, S. Takamiya, S. Mitsui. J. Cryst. Growth, 141, 22 (1994)
  24. Ж.И. Алфёров, Н.И. Кацавец, В.Д. Петриков, И.С. Тарасов, В.Б. Халфин. ФТП, 30, 474 (1996)
  25. W.C. Tsang, H.J. Rosen, P. Vettiger, D.J. Webb. Appl. Phys. Lett., 59, 1005 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme