Вышедшие номера
Лазерные излучатели (lambda=808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Мармалюк А.А.1, Андреев А.Ю.1, Коняев В.П.1, Ладугин М.А.1, Лебедева Е.И.1, Мешков А.С.1, Морозюк А.Н.1, Сапожников С.М.1, Данилов А.И.1, Симаков В.А.1, Телегин К.Ю.1, Яроцкая И.В.1
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазерные гетероструктуры AlGaAs/GaAs с различной геометрией активной области: с расширенным асимметричным и узким симметричным волноводами, различной глубиной квантовых ям. Из полученных образцов были изготовлены одиночные лазерные элементы, линейки и решетки лазерных диодов, и исследованы их выходные характеристики. Показано, что геометрия структуры с узким волноводом является более предпочтительной для линеек лазерных диодов (lambda=808 нм). Повышение барьера для носителей также благоприятно сказывается на выходных параметрах линеек в случае гетероструктур с узким симметричным волноводом, наклон ВтАХ для этих структур вырос с 0.9 Вт/А до 1.05 Вт/А. Решетка лазерных диодов 5x5 мм, собранная на основе лучшей гетероструктуры, продемонстрировала в квазинепрерывном режиме работы выходную мощность свыше 1500 Вт при токе накачки 150 А.