"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективность токовой инжекции в полупроводниковых лазерах с волноводом из квантовых ям
Афоненко А.А.1, Ушаков Д.В.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 1 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Развита динамическая распределенная диффузионно-дрейфовая модель лазерных гетероструктур, учитывающая процессы захвата носителей в квантовые ямы. Проведены расчеты токов утечки в режиме генерации в различных лазерных структурах InGaAs/GaAs (длина волны излучения lambda = 0.98 мкм), InGaAsP/InP (lambda = 1.3 мкм) и InGaAs/InP (lambda = 1.55 мкм) без широкозонных эмиттеров. Показано, что учет конечного времени захвата носителей заряда принципиально важен для расчета структур с глубокими квантовыми ямами. Отношение токов утечки к полному току в структурах с глубокими квантовыми ямами (InGaAsP/InP, InGaAs/InP) возрастает с ростом тока инжекции и при многократном превышении порога лазерной генерации может составлять несколько процентов.
  1. В.Я. Алёшкин, А.А. Дубинов, Б.Н. Звонков, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Яблонский. Матер. всерос. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 2012) т. 1, с. 241
  2. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фeтисова. ФТП, 34 (12), 1457 (2000)
  3. З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (11), 1553 (2011)
  4. С.Г. Мулярчик. Численное моделирование микроэлектронных структур (Мн., Университетское, 1989)
  5. H. Hirayama, Y. Miyake, M. Asada. IEEE J. Quantum Electron, 28 (1), 68 (1992)
  6. N. Tessler, G. Eistenstein. IEEE J. Quantum Electron., 29 (6), 1586 (1993)
  7. А.А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак. Теория полупроводниковых лазеров (Минск, Бел. гос. ун., 1995)
  8. C.G. Chris, Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  9. Д.В. Ушаков, В.К. Кононенко, И.С. Манак. ЖПС, 66 (5), 711 (1999)
  10. Д.В. Ушаков, И.С. Манак. ЖПС, 74 (6), 801 (2007)
  11. J.A. Brum, G. Bastard. Phys. Rev. B, 33 (2), 1420 (1986)
  12. М.В. Вергелес, И.А. Меркулов. ФТП, 26 (10), 1784 (1992)
  13. Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. Письма ЖТФ, 39 (5), 54 (2013)
  14. В.Я. Алёшкин, А.А. Дубинов, Л.В. Гавриленко, З.Ф. Красильник, Д.И. Курицын, Д.И. Крыжков, С.В. Морозов. ФТП, 46 (7), 940 (2012)
  15. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  16. http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html
  17. Д.В. Ушаков, В.К. Кононенко. Квантовая электроника, 38 (11), 1001 (2008)
  18. А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, М.М. Павлов, Ф.И. Зубов, Л.В. Асрян. ФТП, 45 (4), 540 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.