"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика и спектр фотопроводимости гетероструктур PbTe/Pb1-xSnxTe, выращенных на подложках BaF2
Засавицкий И.И.1, Матвеенко А.В.1, Мацонашвили Б.Н.1, Трофимов В.Т.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1992 г.

Из спектров и кинетики фотопроводимости сверхрешеток (СР) и структур с квантовыми ямами типа PbTe/Pb1-xSnxTe/BaF2 следует, что гетеропереход принадлежит к ковариантному типу (тип I'). Построена энергетическая диаграмма напряженной (выращенной на BaF2) СР. Величина разрыва зоны проводимости в зависимости от состава равна Delta Ec~=320 мэВ. Обнаружен глубокий резонансный уровень, который не наблюдается на отдельных эпитаксиальных слоях. Сделано предположение, что уровень формируется в объеме РbТе. Его энергия, отсчитанная от дна зоны проводимости, равна ~=150 мэВ. Записана и решена система дифференциальных уравнений, описывающих кинетику фотопроводимости в СР.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.