"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Прыжковая проводимость ионно-имплантированного серой кремния
Кульбачинский В.А.1, Кытин В.Г.1, Абрамов В.В.1, Тимофеев А.Б.1, Ульяшин А.Г.1, Шлопак Н.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Исследованы сопротивление в интервале температур 0.5<T<300 K и магнитосопротивление при 1.3=< T=< 4.2 K, ионно-имплантированных серой с энергией 75 кэВ пленок кремния в зависимости от дозы D имплантированной серы от 1015 до 5· 1015 см-2 и энергии W лазерного отжига от 2.0 до 2.6 Дж/см2 . Обнаружена прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка с зависимостью сопротивления от температуры R=R0exp [(T0/T)]1/4 и магнитосопротивлением R(H)=R0exp (alpha H2). Получены зависимости T0 и alpha от W и D.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.