"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сульфидная пассивация поверхности арсенида индия
Кудрявцев Ю.А.1, Новиков Е.Б.1, Стусь Н.М.1, Чайкина Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Исследовано влияние сульфидной пассивации на фотолюминесцентные свойства InAs и твердых растворов на его основе в зависимости от ориентации поверхности. С помощью метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучены химические связи, образующиеся при сульфидировании на поверхности InAs. Оказалось, что на стороне (111) A образуются как In-S-, так и As-S-связи, в то время как на стороне (111) B --- только As-S-связи. Показано, что улучшение фотолюминесцентных свойств связано с уменьшением содержания на поверхности оксидов и элементарного мышьяка. Установлено, что после сульфидной обработки плотность поверхностных состояний уменьшается примерно на порядок.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.