"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектр мелкого акцептора в полумагнитном полупроводнике в магнитном поле
Иванов-Омский В.И.1, Харченко В.А.1, Цыпишка Д.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Исследовалась фотопроводимость эпитаксиальных слоев p-Hg1-x-yCdxMnyTe (0.02=< x=< 0.22, 0.04=< y=< 0.12) при температурах 2/8 K в дальней ИК-области спектра. Фотовозбуждение осуществлялось лазером с оптической накачкой с дискретными энергиями в диапазоне 4/ 20 мэВ. Концентрация неидентифицированных акцепторов составляла (2/ 5)· 1014 см-3, как было определено по измерениям коэффициента Холла при 77 K. Сообщается о наблюдении фотовозбуждения акцептора из основного состояния в два возбужденных. Обнаружен пиннинг энергии оптического перехода, связываемый с антипересечением зеемановской компоненты основного состояния мелкого акцептора с его возбужденным состоянием. Антипересечение приписывается обменному взаимодействию момента локализованной на акцепторе дырки с моментами ионов Mn+2, встроенных в эффективный объем акцептора. Наблюдаемое в связи с этим расщепление термов позволяет оценить с большей точностью, чем это делалось ранее, обменный интеграл для состояний валентной зоны N0beta =0.80±0.02 эВ, а также боровский радиус связанного на акцепторе магнитополярона aB --- 17 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.