"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Колебательные спектры и эффективные ионные заряды в кристаллах AgAsS2 и TlAsS2
Сырбу Н.Н.1, Пасечник Ф.И.1
1Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо, Кишинев, Молдова
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.

Исследовано рамановское рассеяние в актуальных геометриях кристаллов AgAsS2 и TlAsS2 при 300 и 77 K. Измерены спектры отражения в ИК области (2-200 мкм) в поляризациях E|| c и E|| b, рассчитаны контуры отражения и определены основные параметры колебательных мод кристаллов TlAsS2 и AgAsS2. Рассчитаны и определены эффективные заряды Сиггети, динамический борновский заряд и относительные ионные заряды анионов и катионов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.