Исследование лазерного геттерирования в GaAs методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения
Бобицкий Я.В.1, Берча А.И.1, Дмитрук Н.Л.1, Корбутяк Д.В.1, Фидря Н.А.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 19 сентября 1992 г.
Методами фотолюминесценции и нарушенного полного внутреннего отражения исследовано лазерное геттерирование структурных и примесных дефектов в монокристаллическом GaAs. По ширине линий нарушенного полного внутреннего отражения, измеренного в области плазмон-фононного взаимодействия, и по интенсивности линий низкотемпературной фотолюминесценции установлены общее снижение уровня дефектности и перераспределение содержания легирующей примеси Si по толщине и поверхности образцов.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
