"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние двойной имплантации атомов кремния и фтора на электрические параметры полуизолирующего арсенида галлия
Бумай Ю.А., Малаховская В.Э., Ульяшин А.Г., Шлопак Н.В., Самойлюк Т.Т., Никитина Т.Д., Горупа К.С., Автюшков Е.В.
Выставление онлайн: 19 июня 1992 г.

Исследованы электрофизические параметры слоев GaAs, имплантированных ионами Si+ (1.5·1013 см-2, 100 кэВ) и дополнительно ионами F+ (0/1.5·1015 см-2, 100 кэВ), а также, для сравнения, ионами N+ и Аr+ после отжига при 400-750oC. Обнаружено, что в результате дополнительной имплантации ионов F+ происходит уменьшение эффективности электрической активации Si в GaAs. В приближении расширенного метода Хюккеля и ППДП/2 проведены кластерные расчеты электронной структуры наиболее вероятных дефектов, включающих в себя атомы F, N, Аr и Р. Показано, что электрические свойства слоев GaAs, имплантированных ионами Si+ и дополнительно ионами одного из элементов N, F, Аr, Р, определяются свойствами дефектов, образуемых с участием атомов имплантируемой совместно с Si примеси, а не только соотношением VAs/VGa в слоях. В случае имплантации F+ на активацию Si в GaAs может оказывать влияние также эффект пассивации мелких доноров в GaAs атомарным фтором подобно их пассивации атомарным водородом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.