Исследована методами оже-спектроскопии, масс-спектроскопии поверхность образцов A^IIB^V при различных видах воздействия. Разработана технология для получения атомарно чистых поверхностей. Исследовано спектральное распределение фотоэмиссии и lambda-модулированной фотоэмиссии, спектры поглощения, отражения и lambda-модулированного поглощения и фотоответа поверхностно-барьерных диодов. Проведено сравнение полученных данных между собой и с известными теоретическими расчетами. Анализирована структура энергетических зон соединений A^IIB^V в области минимума межзонного промежутка. Сделаны первые попытки создания фотоэмиттеров с ОЭС на основе ZnAs₂ и CdP₄. Показана возможность создания поляризационно-чувствительных и узкополосных фотоэмиттеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.