"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства поверхности и структура энергетических зон соединений AIIBV симметрий D84 и C52h
Сырбу Н.Н., Стамов И.Г., Камерцель А.Ю.
Выставление онлайн: 19 июня 1992 г.

Исследована методами оже-спектроскопии, масс-спектроскопии поверхность образцов AIIBV при различных видах воздействия. Разработана технология для получения атомарно чистых поверхностей. Исследовано спектральное распределение фотоэмиссии и lambda-модулированной фотоэмиссии, спектры поглощения, отражения и lambda-модулированного поглощения и фотоответа поверхностно-барьерных диодов. Проведено сравнение полученных данных между собой и с известными теоретическими расчетами. Анализирована структура энергетических зон соединений AIIBV в области минимума межзонного промежутка. Сделаны первые попытки создания фотоэмиттеров с ОЭС на основе ZnAs2 и CdP4. Показана возможность создания поляризационно-чувствительных и узкополосных фотоэмиттеров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.