"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование преобразования дефектов в кристаллах CgTe при кратковременном отжиге методом люминесцентного профилирования
Бабенцов В.Н., Рашковецкий Л.В., Сальков Е.А., Тарбаев Н.И.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Исследовано преобразование дефектов, обусловленных остаточными примесями Cu, Li, P в теллуриде кадмия p-типа. Для анализа преобразования состояния примесей в решетке кристалла использованы профили распределения интенсивности излучения донорно-акцепторных (D-A) пар и экситонов, связанных на изолированных донорах и акцепторах (I2 и I1). Стехиометрию кристаллов изменяли кратковременным отжигом в насыщенных парах кадмия или в вакуумированной ампуле при 600o C. Контроль распределения избыточных кадмия и теллура в образце после отжига проводили рентгеновским микроанализатором. Обнаружено, что в области фронта диффузии кадмия наблюдается трансформация спектра связанных экситонов, соответствующая реакции CuCd+Cdj=Cuj. Кроме того, установлено, что интенсивность линии I1 коррелирует по толщине кристалла с интенсивностью D-A-полосы 850 нм. Это доказывает, что в исследованных кристаллах CdTe остаточная медь является важной примесью, определяющей в зависимости от положения в решетке донорные или акцепторные уровни, а избыточный кадмий в излучательных переходах не проявляется.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.