"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локализация и делокализация в Pb1-xSnxTe <In>, индуцированные сверхсильным магнитным полем и ИК подсветкой
Де Виссер А., Иванчик И.И., Никорич А.В., Хохлов Д.Р.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Проведены измерения магнитосопротивления и коэффициента Холла в сплавах Pb0.75Sn0.25 Te <In>, находящихся исходно в диэлектрическом состоянии, в сверхсильных магнитных полях до 40 T при температуре T=4.2 K. При относительно низкой концентрации неравновесных электронов n наблюдается рост магнитосопротивления во времени (локализация). При более высоком уровне фотовозбуждения, напротив, происходит рост n в магнитном поле. Предложена модель, в рамках которой эффект локализации определяется крупномасштабным потенциальным рельефом зон, а делокализация - процессами перетекания электронов с метастабильного примесного уровня в зону проводимости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.