"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция компенсированного SiC-6H
Евстропов В.В., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Пикус Ф.Г.
Выставление онлайн: 20 мая 1992 г.

Исследована фотолюминесценция (ФЛ) компенсированных и некомпенсированных эпитаксиальных слоев SiC-6H. Слои выращивались методом бесконтейнерной жидкостной эпитаксии и содержали различные концентрации азота (донор) и алюминия (акцептор). Исследование спектров донорно-акцепторной люминесценции показало, что при уровне легирования 3·1018 см-3 в сильно компенсированных образцах проявляется потенциальный рельеф зон. Показано, что высокотемпературная ФЛ (500/900 K) SiC-6H обусловлена в основном излучательной аннигиляцией свободного экситона. Установлено, что при высокой температуре форма экситонной полосы гауссова. Обсуждаются возможные факторы уширения экситонной полосы. В сильно компенсированных образцах наблюдается сдвиг максимума полосы экситонной люминесценции в область меньших энергий. Высказано предположение о локализации экситона в зонном рельефе. Обнаружена сильная зависимость интенсивности люминесценции свободного экситона от концентрации акцептора A1. Предложена модель распада экситона в окрестности акцептора A1 в компенсированном карбиде кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.