В интервале температур от 77 до 300 K в равновесных и неравновесных условиях изучены особенности температурных зависимостей коэффициента Холла, электропроводности и холловской подвижности носителей тока в кристаллах n-ZnSe, облученных электронами с энергией 1.3 МэВ. Доза электронного облучения варьировалась в пределах от 2.7·10¹⁶ до 5.2·10¹⁷ эл/см². Наблюдаемые особенности кинетических явлений в облученных кристаллах объясняются в рамках модели неоднородного полупроводника, представляющего собой при малых и средних дозах радиационного облучения низкоомную матрицу с высокоомными кластерными включениями. По мере увеличения дозы электронного облучения перекрытие областей пространственного заряда, окружающего высокоомные включения, увеличивается и рассматриваемая модель переходит при дозе, равной 3·10¹⁷ эл/см², в модель случайного потенциального рельефа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.