"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Резонансная зона радиационных дефектов в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами
Брандт Н.Б., Скипетров Е.П., Хорош А.Г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1992 г.

Исследованы гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами (T~300 K, E=6 МэВ, Phi=<3.35·1017 см-2), в интервале давлений P=<18 кбар. В облученных образцах обнаружено увеличение концентрации дырок под действием давления, связанное с движением энергетических зон в точке L зоны Бриллюэна и перетеканием электронов из валентной зоны в зону резонансных состояний, индуцированную электронным облучением. Полученные в работе зависимости концентрации дырок от давления использованы для выбора модели и определения параметров модели энергетического спектра облученного электронами сплава p-Pb1-xSnxTe (x=0.2). В рамках предложенной модели проведены расчеты, позволяющие прогнозировать поведение электрофизических параметров сплава при облучении, и предсказано возникновение протяженного диэлектрического состояния при глубоком облучении электронами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.