Методом комбинационного рассеяния света исследован процесс структурного разупорядочения полуизолирующего GaAs, имплантированного ионами Ar⁺ при варьировании дозы и энергии. Проанализированы особенности спектров кристаллической и аморфной фаз. Показано, что процесс структурного разупорядочения GaAs, имплантированного ионами Ar⁺, носит немонотонный характер, что объясняется конкурирующими процессами разупорядочения кристаллической структуры и ее самоотжига, обусловленного процессами диффузии и рекомбинации точечных дефектов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.