"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экранирование поля в p-i-n-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
Ильинский А.В., Куценко А.Б., Степанова М.Н.
Выставление онлайн: 19 марта 1992 г.

С помощью оптического метода наблюдения эволюции электрического поля, использующего эффект Франца-Келдыша, исследовалась обратно смещенная p-i-n-структура на основе слабо легированного арсенида галлия. Обнаружено, что экранирование поля в объеме структуры происходит в два этапа. На первом этапе после включения напряжения устанавливается квазистационарное распределение поля в i- и n0-слоях за время t<1 мкс. Распределение поля в p0-слое при этих малых временах остается однородным. На втором этапе происходит экранирование в p0-слое с вытеснением поля в i- и n0-слои за время t~1 с, которое определяется темпом ионизации глубокого акцепторного уровня. Дано описание наблюдаемой эволюции поля. Определен ряд параметров структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.