Теоретически изучено влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на возбуждение винтовой неустойчивости электронно-дырочной плазмы в полупроводнике. Обнаружено, что порог возбуждения неустойчивости имеет минимум при определенной величине этого градиента. Экспериментальные исследования, проведенные на пластинках собственного n-Ge с однородным и неоднородным распределением электрического поля в условиях освещения боковой грани сильнопоглощаемым излучением, показали, что в зависимости от степени освещенности и начального градиента концентрации носителей заряда в образцах могут наблюдаться как увеличение, так и уменьшение винтовых осцилляций потенциала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.