Исследована зависимость ЭДС Холла в кристаллах p-InAs (p₀~1.1·10¹⁷ см^-3) с инверсионными каналами на поверхности от температуры, величины тока и расстояния между холловскими и токовыми контактами. Показано, что пропускание электрического тока через токовые контакты сопровождается электрическим пробоем перехода канал-объем кристалла и стабилизацией измеряемой "аномальной" ЭДС Холла в широком диапазоне токов. Показана возможность неразрушающего одновременного контроля параметров поверхностного канала и объема кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.