"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в p-InAs
Андерсен Г.Ю.1, Гусев О.К.1, Заитов Ф.А.1, Киреенко В.П.1, Яржембицкий В.Б.1
1Научно-техническое объединение "Политехник", Минск
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

Исследована зависимость ЭДС Холла в кристаллах p-InAs (p0~1.1·1017 см-3) с инверсионными каналами на поверхности от температуры, величины тока и расстояния между холловскими и токовыми контактами. Показано, что пропускание электрического тока через токовые контакты сопровождается электрическим пробоем перехода канал-объем кристалла и стабилизацией измеряемой "аномальной" ЭДС Холла в широком диапазоне токов. Показана возможность неразрушающего одновременного контроля параметров поверхностного канала и объема кристалла.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.