Модель анизотропного тетрагонального двойного акцептора в кристаллах типа GaAs, анизотропия которого обусловлена эффектом Яна-Теллера, а исходное основное состояние имеет Gamma₈-симметрию, обобщена с учетом смешивания ян-теллеровской E-модой колебаний состояний различных типов. Анализ выполнен в рамках теории возмущений, предполагающей относительную малость подмешивания возбужденных состояний к основному. Рассмотрены особенности формы нижнего листа адиабатического потенциала центра и пьезоспектроскопические свойства фотолюминесценции, обусловленной захватом электронов из зоны проводимости на нейтральный центр. Показано, что возникновение барьеров между состояниями с эквивалентными конфигурациями нейтрального акцептора определяется подмешиванием состояний типа Gamma₆ и Gamma₇, а увеличение по сравнению с 4 поляризационного отношения фотолюминесценции относительно оси его внутреннего искажения связано с подмешиванием состояний типа Gamma₇. Рассмотренная модель объясняет результаты экспериментов для акцепторов Ag⁰_Ga, Au⁰_Ga в GaAs и позволяет заключить, что пространственное строение и структура основного состояния этих центров и акцептора Сu⁰_Ga подобны. Количественные отличия пьезоспектроскопических свойств Ag⁰_Ga и Au⁰_Ga от свойств Cu⁰_Ga вызваны большей величиной энергии ян-теллеровской стабилизации и большим смешиванием исходного состояния с Gamma₇-состоянием.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.