"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе delta-легированных структур
Гергель В.А.1, Ильичев Э.А.1, Полторацкий Э.А.1, Родионов А.В.1, Тарнавский С.П.1, Федоренко А.В.1
1Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.

С помощью малосигнальных измерений характеристик полевых транзисторов (ПТШ) на delta-легированных структурах арсенида галлия обнаружено существенное уменьшение крутизны при частотах менее 104 Гц. Показано, что причиной дисперсии является наличие глубоких уровней в приповерхностном слое толщиной до ~150 Angstrem. Установлено, что заполнение ловушек связано с туннельно-активационным характером тока через барьер Шоттки. Представленные результаты позволяют объяснить расхождение в экспериментальных и расчетных значениях крутизны delta-ПТШ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.