Методами оптической и емкостной спектроскопии, нестационарной фотопроводимости, эффекта Холла и электронно-растровой микроскопии исследовано влияние предварительных термообработок (ТО) в диапазоне 400-1200^oC на поведение параметров монокристаллического Si при последующем gamma-, электронном и нейтронном облучении. На основе анализа полученных экспериментальных результатов предложены пять основных механизмов влияния тепловой предыстории Si на поведение его свойств под ионизирующим облучением: 1) распад твердых растворов примесей, эффективно взаимодействующих с радиационными дефектами (РД); 2) образование электрически активных термодефектов (ТД) в концентрациях, достаточных для существенного изменения зарядового состояния РД; 3) возникновение ТД, способных эффективно взаимодействовать с РД; 4) изменение эффективности внутреннего геттерирования РД вследствие перераспределения примесей при ТО; 5) формирование скоплений электрически активных ТД, приводящих к нарушению электрической однородности кристалла Si.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.